半导体材料的发展
碳化硅（SiC）材料的优势
第三代半导体的SiC作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好， 还具有载流子饱和漂移速度高、 热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件，应用于Si器件难以胜任的场合 。
碳化硅（SiC）材料的物理特性
SiC产品的应用
