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SiC碳化硅
发布时间:2023年12月26日 查阅次数:200

半导体材料的发展

 

 

碳化硅(SiC)材料的优势

第三代半导体的SiC作为一种宽禁带半导体材料,不但击穿电场强度高、热稳定性好, 还具有载流子饱和漂移速度高、 热导率高等特点,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件,应用于Si器件难以胜任的场合 。

 

碳化硅(SiC)材料的物理特性

 

SiC产品的应用