半導體材料的發展
碳化矽（SiC）材料的優勢
第三代半導體的SiC作為一種寬禁帶半導體材料，不但擊穿電場強度高、熱穩定性好， 還具有載流子飽和漂移速度高、 熱導率高等特點，可以用來製造各種耐高溫的高頻、高效大功率器件，應用於Si器件難以勝任的場合 。
碳化矽（SiC）材料的物理特性
SiC產品的應用
